- TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 30 V, TO-92
- Polaridad del transistor: NPN
- Collector Emitter Voltage V (br) ceo: 30 V
- Transición de frecuencia: 300 MHz
- Disipación de potencia Pd: 500 mW
- DC Corriente del colector: 100 mA
- Ganancia de corriente contínua hFE: 110
- Encapsulado TO-92
- 3 pines
Características técnicas
Desempeño máximo
Voltaje colector emisor en corte Vceo = 30V
Voltaje colector emisor en saturación Vces = 30V
Voltaje emisor base en corte Vebo = 5V
Corriente de colector constante Ic = 100mA
Características térmicas
Disipación máxima (Tamb= 25℃) = 625 mW
Temperatura de juntura = -55a+155 ℃
Características eléctricas
V(BR)CEO Voltaje de ruptura colector-emisor IC = 10 mA, IB = 0, = 30 V (Min)
V(BR)CBO Voltaje de ruptura colector-base IC = 10 µA, IE = 0, = 30 V (Min)
V(BR)EBO Voltaje de ruptura emisor-base IE = 10 µA, IC = 0, 5.0 V (Min)
Características con señal
hfe típico = 400 (100 Min, 800 Max)
fT frecuencia de transición = 150 MHz
