• TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 30 V, TO-92
• Polaridad del transistor: NPN
• Collector Emitter Voltage V (br) ceo: 30 V
• Transición de frecuencia: 300 MHz
• Disipación de potencia Pd: 500 mW
• DC Corriente del colector: 100 mA
• Ganancia de corriente contínua hFE: 110
• Encapsulado TO-92
• 3 pines

Características técnicas

Desempeño máximo

Voltaje colector emisor en corte Vceo = 30V

Voltaje colector emisor en saturación Vces = 30V

Voltaje emisor base en corte Vebo = 5V

Corriente de colector constante Ic = 100mA

Características térmicas

Disipación máxima (Tamb= 25℃) = 625 mW

Temperatura de juntura = -55a+155 ℃

Características eléctricas

V(BR)CEO Voltaje de ruptura colector-emisor IC = 10 mA, IB = 0, = 30 V (Min)

V(BR)CBO Voltaje de ruptura colector-base IC = 10 µA, IE = 0, = 30 V (Min)

V(BR)EBO Voltaje de ruptura emisor-base IE = 10 µA, IC = 0, 5.0 V (Min)

Características con señal

hfe típico = 400 (100 Min, 800 Max)

fT frecuencia de transición = 150 MHz