Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W 

• MOSFET canal N
• VDS = 100 V, ID = 9.2 A, PW = 60W
• Baja resistencia en conducción RDS = 0.27 Ω max.
• Especificaciones dadas para avalanchas repetitivas y dv/dt dinámicos
• Temperatutra de operación hasta 175 ºC
• Conmutación rápida
• Fácil de poner en paralelo
• Encapsulado: TO-220AB