Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W
- MOSFET canal N
- VDS = 100 V, ID = 9.2 A, PW = 60W
- Baja resistencia en conducción RDS = 0.27 Ω max.
- Especificaciones dadas para avalanchas repetitivas y dv/dt dinámicos
- Temperatutra de operación hasta 175 ºC
- Conmutación rápida
- Fácil de poner en paralelo
- Encapsulado: TO-220AB
